Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 39А; Idm: 90А; 104Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS3662
175,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS3662
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 24,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 39А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: інтерфейснe; SPST-NO; Uупр: 230ВAC,230ВDC; 1А; 24÷240ВAC
Реле: інтерфейснe; SPST-NO; Uупр: 230ВAC,230ВDC; 1А; 24÷240ВAC

2169,29 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Зовнішні розміри:
87,8x89,6x6,4мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
комплект реле
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,6пФ
Недоступний
Перетворювач: температури; Велич.контрол: температура
Перетворювач: температури; Велич.контрол: температура

7602,01 грн

Контрольована величина:
температура
Тип перетворювача:
температури
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP; THT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP; THT; OUT: 1

1344,40 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вхідна напруга:
18...36В DC
Зовнішні розміри:
50,8x25,4x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 3,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 1А; 50нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 0,95В
Діод: випрямний; SMD; 100В; 1А; 50нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 0,95В

3,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання; явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO214AC; SMA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD