Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 67,5Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO175N10HG4
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO175N10HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 67,5Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перемикач: поворотний; 30мм; Фікс.поз: 2; залежно від корпусу
Перемикач: поворотний; 30мм; Фікс.поз: 2; залежно від корпусу

1765,71 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP66; IP67; IP69K
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Викрутка: прецизійна; плоскa; 1,8x0,27мм; Довж.леза: 75мм
Викрутка: прецизійна; плоскa; 1,8x0,27мм; Довж.леза: 75мм

204,64 грн

Відповідність стандарту:
DIN 5263
Довжина леза:
75мм
Розмір грота:
1,8x0,27мм
Тип викрутка:
прецизійна
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; натуральний; L: 75мм; W: 400мм
Радіатор: штампований; ребристий; натуральний; L: 75мм; W: 400мм

0,00 грн

Висота:
42мм
Довжина:
75мм
Колір:
натуральний
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Резистор: thin film; 1,18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 53,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 53,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В