Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 47А; Idm: 188А; 41,6Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMQ099N10LG2
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMQ099N10LG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: PDFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 41,6Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 188А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; DIP24; THT

983,91 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 5
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 5

3347,70 грн

Кількість полюсів:
5
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
500В AC
Номінальний струм:
63А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Діод: TVS; 8кВт; 20÷22,1В; 274А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 8кВт; 20÷22,1В; 274А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

105,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
16В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V

190,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32

489,74 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм

60,82 грн

Діелектрик:
X7R
Ємність:
0,22мкФ
Робоча напруга:
100В DC
Розміри корпусу:
3,2x2,5x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD