1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49А; Idm: 364А; 83Вт; Power56

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49А; Idm: 364А; 83Вт; Power56
Немає в наявності
Код товару: FDMS86182
130,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS86182
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 364А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: круглі; вилка; штекерний; 30А; IP69K; прямий; посріблений
Роз’єм: круглі; вилка; штекерний; 30А; IP69K; прямий; посріблений

9446,29 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Клас герметичності:
IP69K
Матеріал контакту:
сплав міді
Матеріал корпусу:
PBT
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 402кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 402кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

1,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
402кОм
Резистор: thick film; 51,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

5,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM

703,88 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
34MM
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл