1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 58А; Idm: 240А; 167Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 58А; Idm: 240А; 167Вт; TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTP6412ANG
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTP6412ANG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 18,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 58А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24кОм; SMD; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%
Резистор: thick film; 1,24кОм; SMD; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 17ВAC; 22ВDC; 27В; 1кА; Ø: 14мм; Ø14мм
Варистор: металооксидний; THT; 17ВAC; 22ВDC; 27В; 1кА; Ø: 14мм; Ø14мм

12,42 грн

Висота:
14мм
Діаметр:
14мм
Енергія E10/1000мкс:
5Дж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 56мОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; UR73D
Резистор: thick film; 56мОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; UR73D

4,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603; 180мм

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 6,81кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 6,81кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл