Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,7А; Idm: 54А; 1,67Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMT10H015LSS-13
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT10H015LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 33,3нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,67Вт
Струм стока: 6,7А
Струм стоку в імпульсі: 54А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В

0,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206

13,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 2кБ; 20МГц; RS232,USB; SMD; SSOP20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 2кБ; 20МГц; RS232,USB; SMD; SSOP20; PIC16

162,19 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
RS232; USB
Кількість входів/виходів:
13
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт

281,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73,8нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC

233,15 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USART; USB; USB OTG
Кількість входів/виходів:
23
Корпус:
QFN32
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
22пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD