Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 62А; Idm: 320А; 120Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: STD100N10F7
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 120Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; straight

98,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V

164,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

202,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
6,7мм
Недоступний
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600В; 3А; 38Вт
Діод: випрямний Шотткі; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600В; 3А; 38Вт

52,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 1.5A

133,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
7,3мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 7,9нГн; 350мА; R: 0,23Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 7,9нГн; 350мА; R: 0,23Ом; LQW; 180мм

2,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
7,9нГн
Корпус - дюйм:
03015
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252