1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 74А; Idm: 296А; 170Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 74А; Idm: 296А; 170Вт; TO220-3
Немає в наявності
Код товару: FDP120N10
156,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP120N10
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 66нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 74А
Струм стоку в імпульсі: 296А
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: термічний; 29,5x14,6x22,7мм; 10А; Iмакс: 1кА
Запобіжник: термічний; 29,5x14,6x22,7мм; 10А; Iмакс: 1кА

332,62 грн

Колір кнопки:
білий
Максимальна напруга:
1,5кВ AC
Максимальний струм:
1кА
Номінальна напруга:
32В DC; 50В DC; 0,125кВ; 0,25кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 10,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 10,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 80А; 1÷100ВDC; DC100; IP20
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 80А; 1÷100ВDC; DC100; IP20

6601,63 грн

Зовнішні розміри:
58,8x44,5x30,9мм
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
стабілізація струму
Напруга перемикання:
1...100В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

11,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

3,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс

266,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO251A
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,5нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220

231,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
81нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT