Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 79А; Idm: 600А; 78Вт; PDFN56

Немає в наявності
Код товару: BXS075N10C
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXS075N10C
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: PDFN56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 79А
Струм стоку в імпульсі: 600А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V

112,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; AMI
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; AMI

275,60 грн

Зовнішні розміри:
12,8x29,4x17,45мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
сплав срібла
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 17,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 17,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм

18,31 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,8x8,4x3,8мм
Резистор: thin film; 38,3Ом; 0402; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 38,3Ом; 0402; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C

7,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
38,3Ом
Недоступний
IC: цифровий; тригер Шмітта; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 2мкА
IC: цифровий; тригер Шмітта; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 2мкА

191,33 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид затвору:
NOR
Вид об'єднаної схеми:
тригер Шмітта
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
37,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 48А; Idm: 248А; 46,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 48А; Idm: 248А; 46,2Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 24А; 15Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 24А; 15Вт; DFN2020-6

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5,8А; Idm: 23А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5,8А; Idm: 23А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
37,9нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; Idm: 20А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; Idm: 20А; 3,1Вт; SOP8

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD