Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 49А; Idm: 160А; 104Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS86201
175,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS86201
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 21,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; ERJT08J
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; ERJT08J

0,96 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,8÷16ВDC; 3А; SOT25; SMD; 1МГц; Ch: 1
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,8÷16ВDC; 3А; SOT25; SMD; 1МГц; Ch: 1

53,85 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
2,8...16В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; IP68
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; IP68

1263,94 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
4м
Електричний монтаж:
проводи
Connector: D-Sub; PIN: 8; socket; female; data transfer; straight
Connector: D-Sub; PIN: 8; socket; female; data transfer; straight

353,52 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805

1,46 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD