1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 72А; Idm: 538А; 187Вт; Power56

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 72А; Idm: 538А; 187Вт; Power56
Немає в наявності
Код товару: FDMS86202ET120
265,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS86202ET120
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 13,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 187Вт
Струм стока: 72А
Струм стоку в імпульсі: 538А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1210

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; CQ; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; CQ; 75В; -55÷155°C

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight

145,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В

1,55 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 30A/250ВAC; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 30A/250ВAC; PCB

710,21 грн

Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
50А
Матеріал контакту:
AgCdO
Модель реле:
промисловe
Недоступний
Діод: TVS; 20кВт; 239,3В; 61,4А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA
Діод: TVS; 20кВт; 239,3В; 61,4А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA

816,02 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
204В
Недоступний
Резистор: thin film; 357Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 357Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD