Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 80А; 325Вт; TO263; 90нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA80N12T2
157,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA80N12T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 325Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 90нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 12А; 12A/250ВAC; R2
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 12А; 12A/250ВAC; R2

819,18 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Зовнішні розміри:
75x27x82мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 10x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 10x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

55304,17 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

3,66 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8