Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO220AB; 85нс

Немає в наявності
Код товару: IXFP110N15T2
342,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP110N15T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 85нс
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; 2м; IP67

2833,89 грн

Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NC
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 10Вт; 30÷40ВDC; 0,25А; 90÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 10Вт; 30÷40ВDC; 0,25А; 90÷264ВAC

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
30...40В DC
Вихідний струм:
0,25А
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

32,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
80мА
Вхідна напруга:
12В
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,1кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷15А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷15А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

1694,12 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
41мм
Недоступний
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3

754,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO247-3