1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 240А; 940Вт; TO247-3; 130нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 240А; 940Вт; TO247-3; 130нс
Немає в наявності
Код товару: IXTH240N15X4
649,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH240N15X4
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 4,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 940Вт
Струм стока: 240А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 130нс
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 20Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 100V

274,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x6мм2; тросик; Cu; темносиній
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x6мм2; тросик; Cu; темносиній

213,51 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму; сертифікат DNV
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,21Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,21Ом
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 10Аx2; TO247AD; Ufmax: 0,9В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 10Аx2; TO247AD; Ufmax: 0,9В; туба

102,00 грн

Вид упаковки:
туба
Ємність:
500пФ
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247AD
Недоступний
Резистор: thin film; 18,9кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 18,9кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB