1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 78Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 78Вт; TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK28N15T2
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK28N15T2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 28А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 22Ом; SMD; 500мА; 0603; R: 350мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 22Ом; SMD; 500мА; 0603; R: 350мОм; BLM

1,07 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
22Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 3кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 3кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220

99,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±5%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±5%; NQ; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,1пФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 1.5N; push-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

2,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА

747,59 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
134мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Зовнішні розміри:
21,8x9,2x11,1мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT