Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 75,4А; Idm: 323А; 136,4Вт

Немає в наявності
Код товару: NTB011N15MC
160,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: NTB011N15MC
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 10,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136,4Вт
Струм стока: 75,4А
Струм стоку в імпульсі: 323А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
ROCKER; SPDT; ON-ON; 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; IP67; 400A; срібло
ROCKER; SPDT; ON-ON; 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; IP67; 400A; срібло

137,48 грн

Виводи:
до лютування
Клас герметичності:
IP67
Колір клавіші:
чорний
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm

12,35 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; OMNIMATE; 15А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; OMNIMATE; 15А; 300В

0,00 грн

Колір корпусу:
чорний
Номінальна напруга:
0,3кВ
Номінальний струм:
15А
Розмір проводу:
28AWG...14AWG
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

446,66 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Модуль автоматики: розширення; 24ВDC; на шину DIN
Модуль автоматики: розширення; 24ВDC; на шину DIN

12711,62 грн

Монтаж:
на шину DIN
Напруга живлення:
24В DC
тип модуля автоматики:
розширення
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

3,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK