Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 75А; Idm: 300А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB115N15HG4
62,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB115N15HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; LQFP100; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; LQFP100; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART

253,42 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
4
Кількість таймерів 16бит:
4
Кабель; 0,23м; Fakra гніздо,ISO гніздо; Марка автомобіля: Audi
Кабель; 0,23м; Fakra гніздо,ISO гніздо; Марка автомобіля: Audi

299,04 грн

Вживання - марка автомобіля:
Audi
Довжина кабелю:
0,23м
Конструкція кабелю/переходу:
Fakra гніздо; ISO гніздо
Опис:
Адаптер є необхідний при заміні радіо на навигацію типу RNS- E. Забезпечує зручність і безпеку функціонування навігації без необхідності паяння і ізоляції відрізаних проводів. Адаптер дає можливість професионально під'єднувати навігацію за допомогою оригінального штепселя ISO-DIN.
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м

5281,94 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 120мкГн; 80мА; R: 5,26Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 120мкГн; 80мА; R: 5,26Ом; ±20%; LQH

5,13 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
120мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263