1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 85А; Idm: 340А; 156,2Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 85А; Idm: 340А; 156,2Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO115N15HG4
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO115N15HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156,2Вт
Струм стока: 85А
Струм стоку в імпульсі: 340А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 845кОм; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 845кОм; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм

8,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 1,76кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,76кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА

146,98 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Зовнішні розміри:
19,5x6x9,5мм
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

467,56 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
15мм
Довжина:
33,52мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,1А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,1А

32,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,1А
Резистор: thin film; 130Ом; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 130Ом; SMD; 0805; 100мВт; 2x1,25x0,55мм

23,19 грн

Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Опір:
130Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK