Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 90А; Idm: 360А; 266Вт

Немає в наявності
Код товару: DI090N15D2-AQ
64,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI090N15D2-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 266Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; BGA24
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; BGA24

161,56 грн

Вид пам’яті:
NOR
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
BGA24
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; кутовий; вилка; 4А; PUR; IP67; 5м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; кутовий; вилка; 4А; PUR; IP67; 5м

9694,01 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Tap: metric; Size: 12mm; M20; 2.5; L: 140mm; Holder: square,machine
Tap: metric; Size: 12mm; M20; 2.5; L: 140mm; Holder: square,machine

4705,40 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
легована сталь; сталь
Відповідність стандарту:
DIN 371
Недоступний
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 8,65В; 4пФ
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 8,65В; 4пФ

1180,31 грн

Ємність:
4пФ
Зворотна напруга макс.:
300В
Кількість каналів:
1
Корпус:
AX (Ø4.45x2.16mm)
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 125Мsps; Ch: 1; 2,7÷5,5В; TSSOP28
IC: перетворювач D/A; 8бит; 125Мsps; Ch: 1; 2,7÷5,5В; TSSOP28

605,68 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Інтерфейс:
parallel
Кількість каналів:
1
Корпус:
TSSOP28
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 1.5A

179,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD