1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO220AB; 11нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO220AB; 11нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP1R6N100D2
260,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 645нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 11нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V

10,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 125В; 0,5А; SOD80; Ufmax: 1В; Ifsm: 4А
Діод: перемикальний; SMD; 125В; 0,5А; SOD80; Ufmax: 1В; Ifsm: 4А

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
6пФ
Зворотна напруга макс.:
125В
Корпус:
SOD80
Недоступний
Резистор: thick film; 79,8кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 79,8кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
79,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В

0,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 12,7мм; 0,5"; Кільк.зн: 3; 20мкд; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 12,7мм; 0,5"; Кільк.зн: 3; 20мкд; анод

36,75 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
12,7мм, 0,5"
Довжина хвилі λd:
567...576нм
К-ть знаків:
3
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик

432,72 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%

8,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB