Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTY1R6N100D2
260,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 645нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 11нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 100ВDC; SPST-NO; Iкотушки: 19мА
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 100ВDC; SPST-NO; Iкотушки: 19мА

915,49 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Висота:
49мм
Зовнішні розміри:
50,5x34,5x49мм
Конструкція:
тест-кнопка
Недоступний
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,16 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт

255,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK