Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 10А; 695Вт; TO247-3; 70нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH10N100D2
910,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTH10N100D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 200нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 695Вт
Струм стока: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 70нс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC

400,41 грн

Зовнішні розміри:
29x12,4x25мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
16А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Недоступний
Резистор: thin film; 50,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 50,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

3,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Діод: випрямний; 1,6кВ; 240А; анод на болті; DO205AB,E15; M16x1,5
Діод: випрямний; 1,6кВ; 240А; анод на болті; DO205AB,E15; M16x1,5

2314,37 грн

Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO205AB; E15
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
M16x1,5
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 10ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 10ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TAJ

107,07 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Корпус:
V
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP48; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP48; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3

0,00 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
AWU; Beeper; IWDG; WWDG
Інтерфейс:
CAN; I2C; SPI; UART; USART
Кількість каналів PWM:
4
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
10
Недоступний
Резистор: thin film; 2,91кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,91кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT