1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 10А; 695Вт; TO268; 70нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 10А; 695Вт; TO268; 70нс
Немає в наявності
Код товару: IXTT10N100D2
743,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT10N100D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 695Вт
Струм стока: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 70нс
Конденсатор: керамічний; 47пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 47пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

1,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Запобіжник: плавка; 60x60x49,2мм; керамічний,промисловий; 400А
Запобіжник: плавка; 60x60x49,2мм; керамічний,промисловий; 400А

13165,25 грн

Вид запобіжника:
керамічний; промисловий
Застосування запобіжників:
захист напівпровідникових елементів
Номінальна напруга:
600В DC; 690В AC
Номінальний струм:
0,4кА
Недоступний
Резистор: thin film; 9,76кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 9,76кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Роз’єм: живлення DC; штекерний; роз'єм живлення; SurLok Plus
Роз’єм: живлення DC; штекерний; роз'єм живлення; SurLok Plus

512,54 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0201

1,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷243,2В; 2А; двоспрямована; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷243,2В; 2А; двоспрямована; SMB; P6SMBJ

4,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
190В
Корпус:
SMB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт

29,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK