1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 68А; 625Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 68А; 625Вт; TO247-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: APT18M100B
574,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT18M100B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,74кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,74кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 76,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 2,5нГн; 370мА; R: 0,4Ом; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 01005; 2,5нГн; 370мА; R: 0,4Ом; LQP; 180мм

1,09 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
2,5нГн
Корпус - дюйм:
01005
Недоступний
Резистор: thick film; 4,64кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,64кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
4,64кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPST; 3A/250ВAC; 3A/28ВDC; IP67
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; DPST; 3A/250ВAC; 3A/28ВDC; IP67

900,28 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB