Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 20А; Idm: 120А; 1,04кВт

Немає в наявності
Код товару: APT31M100B2
803,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT31M100B2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 260нКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 18÷36ВAC; 5А; 24÷280ВAC; ED
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 18÷36ВAC; 5А; 24÷280ВAC; ED

1140,40 грн

Виводи:
конектори
Властивості реле:
включення в будь-якому моменті
Зовнішні розміри:
37,4x31,5x12,7мм
Модель реле:
промисловe
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: TVS збірка; 6,5В; односпрямована,подвійний; ESD; SC70; Ch: 2
Діод: TVS збірка; 6,5В; односпрямована,подвійний; ESD; SC70; Ch: 2

16,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
2
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 6,3ВDC; SMD; C; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 6,3ВDC; SMD; C; ±20%; -55÷125°C

28,83 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
C
Монтаж:
SMD
Модуль автоматики: цифровий вихід; 5ВDC,7÷28ВDC; на шину DIN
Модуль автоматики: цифровий вихід; 5ВDC,7÷28ВDC; на шину DIN

1638,37 грн

Вид виходу 1:
SPDT; реле
Зовнішні розміри:
175x90x41мм
Інтерфейс:
RS485
Кількість виходів:
12
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD