Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 3,1А; 125Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: IRFBG30PBF-BE3
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: IRFBG30PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 83мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 83мА

404,21 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
83мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

40,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: паперовий; X2; 47нФ; Растр: 15,2мм; ±20%; THT; PME271M
Конденсатор: паперовий; X2; 47нФ; Растр: 15,2мм; ±20%; THT; PME271M

105,80 грн

Alias:
P276QL473M275A
Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
30мм
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 40,2Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 40,2Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CQ; 150В

1,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 201,6Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвх: 50мА
Перетворювач: DC/DC; 201,6Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвх: 50мА

9185,26 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
4,2А
Вхідна напруга:
48В DC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; angled; 3x24
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 72; THT; angled; 3x24

67,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
8,7мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT