Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHF640STRR-GE3
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SIHF640STRR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
9,41...9,9В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,17 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
590Ом
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний

1842,37 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Матеріал:
загартована сталь; хром-нікелева сталь
Розмір гнізда тримача - мм:
14x18мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

21,22 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Contact; female; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT
Contact; female; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT

84,90 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Діаметр:
3,2мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6