1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO220-3
Немає в наявності
Код товару: WMK20N20JN
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK20N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 4,1нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 110нс
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3+N; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3+N; 6кА

1470,48 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 200В; односпрямована; Ch: 1; -55÷150°C
Діод: TVS; 30кВт; 200В; односпрямована; Ch: 1; -55÷150°C

2271,29 грн

Зворотна напруга макс.:
180В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
200В
Недоступний
Резистор: thin film; 6кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В
Резистор: thin film; 6кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В

4,50 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 6В; TO92; THT; 250А; UBO: 25В; ролик,cтрічка
Тиристор: TSS; Urmax: 6В; TO92; THT; 250А; UBO: 25В; ролик,cтрічка

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 35,7кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 35,7кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 261кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 261кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

829,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
287нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт

302,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251