1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: EL-MANR04120PA
658,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: EL-MANR04120PA
Виробник: EVERLIGHT
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 115нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 454Вт
Струм стока: 39А
Струм стоку в імпульсі: 171А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; LED; 96Вт; 24ВDC; 2÷4А; 100÷305ВAC; IP65
Блок живлення: імпульсний; LED; 96Вт; 24ВDC; 2÷4А; 100÷305ВAC; IP65

2030,54 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
2...4А
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 825Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 825Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 301кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; HV; 200В
Резистор: thick film; 301кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; HV; 200В

0,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В

2,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; 400мА; ±10%; Ø: 5,8мм; 1,1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 150мкГн; 400мА; ±10%; Ø: 5,8мм; 1,1Ом

20,27 грн

Високосортність:
20
Висота:
4,8мм
Діаметр:
5,8мм
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Висота:
1,25мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50,5нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-4

987,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 300А; 1250Вт; 170нс
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 300А; 1250Вт; 170нс

1481,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
375нКл
Корпус:
PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 260А; 480Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 260А; 480Вт; TO220AB; 60нс

295,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
0,14мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 20А; 380Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 20А; 380Вт; TO247-3

419,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 240А; 1250Вт; TO264; 177нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 240А; 1250Вт; TO264; 177нс

1485,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
345нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс

586,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
83нКл