1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO20N20JN
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO20N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,1нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 110нс
Недоступний
Резистор: thick film; 63,4Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 63,4Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
63,4Ом
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷6000мА
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷6000мА

2271,29 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0...6А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
M8; PIN: 3; прямий,гніздовий; неекранований,прямий; вилка; 4А; SAIL
M8; PIN: 3; прямий,гніздовий; неекранований,прямий; вилка; 4А; SAIL

0,00 грн

Наконечник; зігнутий конус; 0,5мм
Наконечник; зігнутий конус; 0,5мм

146,35 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Розміри наконечника:
0,5мм
Супутні товари:
SP-H090; ST-9003D
Тип наконечника:
soldering
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø10x7,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø10x7,7мм; ±20%

5,01 грн

Висота:
7,7мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±10%; AS; 200В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±10%; AS; 200В

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD