Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: BSZ900N20NS3GATMA1
Price: 105.80 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BSZ900N20NS3GATMA1

105,80 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

BSZ900N20NS3GATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TSDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

90мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

62,5Вт

Струм стока:

15,2А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
VSON-CLIP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
118нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
8,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
PG-VSON-4

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
5,3нКл

Корпус:
PQFN2X2