Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXMN10A11GTA
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMN10A11GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 1,9А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; CRGP

1,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR

878,74 грн

Довжина кабелю:
3м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 100V

291,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

32,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
База до підключення; Полюси: 3; 400А; зовнішня; вставна
База до підключення; Полюси: 3; 400А; зовнішня; вставна

16500,91 грн

Застосування - серія/виробник:
EB2 400; EB2 630; ED2 400; ED2 630
Кількість полюсів:
3
Модель:
вставна
Монтаж:
зовнішня
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 178÷197В; 58,4А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм
Діод: TVS; 15кВт; 178÷197В; 58,4А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм

193,23 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
160В
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
178...197В
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 50В; двоспрямована; DO214AB,SMC; TransZorb®
Діод: TVS; 1,5кВт; 50В; двоспрямована; DO214AB,SMC; TransZorb®

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD