Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 32А; 200Вт; TO263; 110нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA32N20T
85,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA32N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 110нс
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,003мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,003мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%

8,87 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
3нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight

175,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 12; штекерний; промислова; M23 PRO; 150В
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 12; штекерний; промислова; M23 PRO; 150В

1342,50 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 230ВAC

2396,73 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм

4,05 грн

Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Ємність:
0,47нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

6,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
262нКл
Корпус:
D2PAK; TO263AB
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO252

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT323

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 300мА; Idm: 1,2А; 350мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 300мА; Idm: 1,2А; 350мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 38А; 240Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 38А; 240Вт; TO263

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63,3А; Idm: 400А; 30,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63,3А; Idm: 400А; 30,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
PDFN5060-8