1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 300мА; Idm: 1,2А; 350мВт; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 300мА; Idm: 1,2А; 350мВт; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM05N03G
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM05N03G
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,1нКл
Корпус: SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 2,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 132кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 132кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 47А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 47А

278,76 грн

Alias:
SVD 7.62HP/06/270G 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
41,9мм
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: поліестровий; 220нФ; 630ВDC; ±10%; 12,5x27мм; THT
Конденсатор: поліестровий; 220нФ; 630ВDC; ±10%; 12,5x27мм; THT

41,18 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Робоча напруга:
630В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 50ppm/°C
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 50ppm/°C

0,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±10%; SG73; 200В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±10%; SG73; 200В

9,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

817,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK