Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 34А; Idm: 150А; 96Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO77N20JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: WMO77N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 34А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвих: 1А; Øвнутр: 13мм; 200мВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвих: 1А; Øвнутр: 13мм; 200мВА; 50÷60Гц

4517,24 грн

Вихідний струм:
1А
Діаметр внутрішній:
13мм
Довжина проводу:
3м
Номінальний струм:
0...100А
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 787Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 3,3кОм; 0603; 167мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 3,3кОм; 0603; 167мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C

10,01 грн

Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,3кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 510кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 510кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1463,51 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований

1004,18 грн

Матеріал корпусу:
метал
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
екранований
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thin film; 124Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 124Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252AA
Монтаж:
SMD