Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 80А; 520Вт; TO268; 250нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT80N20L
974,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT80N20L
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: linear power mosfet
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,47пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,47пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,47пФ
Конденсатор: керамічний; 680пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 680пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,13 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,68нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Датчик: фотоелектричний; приймач-передавач (щілинний); DARK-ON
Датчик: фотоелектричний; приймач-передавач (щілинний); DARK-ON

280,03 грн

Монтаж:
THT
Напруга живлення:
4,5...16В DC
Режими роботи датчика:
DARK-ON
Робоча температура:
-40...75°C
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 1А; 4,2В; MSOP10
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 1А; 4,2В; MSOP10

44,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
4,2В
Вихідний струм:
1А
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,41 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 920Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 920Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD