Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRF630NPBF
Price: 56.39 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IRF630NPBF

56,39 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRF630NPBF

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

23,3нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

0,3Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

82Вт

Струм стока:

9,5А

Технологія:

HEXFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; 40Вт; TO220FP; ESD

288,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
130нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; TO92

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 530мА; Idm: 1А; 1Вт; TO92

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
170нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 230мА; Idm: 1А; 1Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,9А; 35,7Вт; TO220FP

242,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
56нКл

Корпус:
TO220FP