Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMG1012T-7
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG1012T-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT523
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,28Вт
Струм стока: 0,45А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 50ВDC; ±20%

20,08 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Датчик: рівня рідини; -40÷107,2°C; OUT: NO или NC; LS-7; 0,6м
Датчик: рівня рідини; -40÷107,2°C; OUT: NO или NC; LS-7; 0,6м

1843,64 грн

Виводи:
проводи
Властивості датчиків:
мінімальна питома вага рідини 0,55
Довжина відводів:
0,6м
Конфігурація виходу:
NO или NC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight

55,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0402; 250мВт; ±5%; ERJPA2J
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0402; 250мВт; ±5%; ERJPA2J

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,65 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
FP (SC83 similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23

10,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA