Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NVR4501NT1G
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 2,4А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC; SPDT; Uупр: 230ВAC; 16А
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC; SPDT; Uупр: 230ВAC; 16А

1458,44 грн

Зовнішні розміри:
87,8x89,4x12,8мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Модель реле:
комплект реле
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206

6,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805

1,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
47пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

16,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; 0÷160°C; A52
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; 0÷160°C; A52

3473,14 грн

Вимір:
температури
Властивості вимірювальних приладів:
заднє положення датчика
Діаметр:
63мм
Діапазон вимірювання температури:
0...160°C
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 1,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,25%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,25%; TC; 200В

3,00 грн

Допуск:
±0,25%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD