Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NVA4001NT1G
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVA4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC75
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,238А
Струм стоку в імпульсі: 0,714А
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; THT; 140Ом; toff: 5мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; THT; 140Ом; toff: 5мс

21666,27 грн

Зовнішні розміри:
20,7x20,3x22,23мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
Ag/Au
Монтаж:
THT
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 14AWG; PTFE; коричневий; 600В; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 14AWG; PTFE; коричневий; 600В; 305м

116141,81 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
SAE-AS22759/11
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

0,27 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RT1
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RT1

249,62 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x15,7x12,7мм
Імпульсний струм:
80А
Кількість пін:
6
Недоступний
Діод: зенера; 0,2Вт; 16В; SMD; SOD323F; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 16В; SMD; SOD323F; одиночний діод

4,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
16В
Корпус:
SOD323F
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 76,8кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP4

20,59 грн

CTR@If:
200-400%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD