Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 250мА

Немає в наявності
Код товару: SSM3K35AMFV,L3F(T
1,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 8000
Крок додавання: 8000
Код товару: SSM3K35AMFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; високої потужності; SMD; 4527; 6Вт
Резистор: thick film; 4,7кОм; високої потужності; SMD; 4527; 6Вт

14,83 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 14,4÷15,9В; 233А; односпрямована; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 14,4÷15,9В; 233А; односпрямована; SMC; 5.0SMDJ

34,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
13В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 9,1В; SMD; 3мкА
Діод: зенера; 500мВт; 9,1В; SMD; 3мкА

76,66 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
9,1В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; SOIC28; Інтерфейс: I2C,SPI,UART,USART
IC: мікроконтролер AVR; SOIC28; Інтерфейс: I2C,SPI,UART,USART

78,56 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Detection (BOD); PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
23
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 3A; 150V

344,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8мкФ; 6,3В; X8L; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8мкФ; 6,3В; X8L; ±10%; SMD; 0805

9,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 350В; 5А; TO264
Транзистор: PNP; біполярний; 350В; 5А; TO264

251,52 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO264
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
350В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK