Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,2А; Idm: 22А; 940мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN2056U-13
4,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN2056U-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,94Вт
Струм стока: 3,2А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; ±1%; 200В; 1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; ±1%; 200В; 1мм; -55÷155°C

2,80 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

6,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; CHA; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; CHA; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Ємність:
1,9пФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C

41,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Маркер: кабельний; Маркування: Z; 8÷16мм; ПВХ; жовтий; CLI C; W: 11мм
Маркер: кабельний; Маркування: Z; 8÷16мм; ПВХ; жовтий; CLI C; W: 11мм

6,53 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
8...16мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD