Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,7А; 0,5Вт; SC59

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSR802NL6327HTSA1
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSR802NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SC59
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 3,7А
Технологія: OptiMOS™ 2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 8,2В; 33,3А; односпрямована; SOD123W; макс.185°C
Діод: TVS; 400Вт; 8,2В; 33,3А; односпрямована; SOD123W; макс.185°C

21,54 грн

Зворотна напруга макс.:
7В
Корпус:
SOD123W
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
8,2В
Датчик: рівня; G 1/2"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTL31
Датчик: рівня; G 1/2"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTL31

11632,05 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид датчика:
вібраційний
Використання:
рідини
Додаткові функції:
приварний адаптер
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; THT; -40÷85°C; 2,54мм; Контакти: SPST
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; THT; -40÷85°C; 2,54мм; Контакти: SPST

281,30 грн

Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Конфігурація контактів:
SPST
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; 330нФ; 50В; Y5V; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 330нФ; 50В; Y5V; ±20%; THT; 5мм

12,29 грн

Діелектрик:
Y5V
Допуск:
±20%
Ємність:
0,33мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 63; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 63; THT; straight

126,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В