Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS816NWH6327XTSA1
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 1,4А
Технологія: OptiMOS™ 2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 11Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 11Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
12пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 768кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 768кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; HF182F; THT; AgSnO2
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; HF182F; THT; AgSnO2

142,55 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
18В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Шкала; I AC: 0÷100А; 78°; до аналогового амперметра; 72x72мм
Шкала; I AC: 0÷100А; 78°; до аналогового амперметра; 72x72мм

229,98 грн

Властивості шкали:
78°
Застосування вимірювальних приладів:
до аналогового амперметра
Розміри (а x b x с):
72x72мм
Серія виробника:
SCL-A5.../72
Транзистор: N-JFET; польовий; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
12,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210