Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 25А; 1,2Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN2055U-7
21,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2055U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 3,8А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; ±5%; RK73B; 200В; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; ±5%; RK73B; 200В; 200ppm/°C

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Резистор: metal film; 562Ом; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 562Ом; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

22,93 грн

Допуск:
±0,1%
Опір:
562Ом
Потужність:
0,25Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

11,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 2,29кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,29кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 24мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 300ppm/°C
Резистор: thick film; 24мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 300ppm/°C

3,28 грн

Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВDC; 32А; синій; 130мм
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВDC; 32А; синій; 130мм

176,13 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; EN 61010
Загальна довжина:
130мм
Колір:
синій
Матеріал контакту:
нікель
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8