Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,9А; Idm: 31А; 870мВт; TSSOP8

Немає в наявності
Код товару: DMG8822UTS-13
29,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG8822UTS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 9,6нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,87Вт
Струм стока: 3,9А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптрон; THT; OUT: транзисторний; 5кВ; DIP8 Gullwing; Колір: чорний
Оптрон; THT; OUT: транзисторний; 5кВ; DIP8 Gullwing; Колір: чорний

25,34 грн

Вид виходу:
транзисторний
Колір корпусу:
чорний
Корпус:
DIP8 Gullwing
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 2; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 2; THT; 3A; 125V

18,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
2,5мм
Довжина відводів:
2,8мм
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC

145,08 грн

Колір:
коричневий
Модель роз’єму:
з поперечним гніздом 4мм; неізольований
Монтаж:
лютований
Номінальна напруга:
30В AC; 60В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0603

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В; 50ppm/°C

0,52 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 953Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 953Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

46,88 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл