1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMG1012UWQ-7
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG1012UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 1нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,61Вт
Струм стока: 0,75А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 1,18кОм; 0603; 63мВт; ±0,1%; 1,55x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 1,18кОм; 0603; 63мВт; ±0,1%; 1,55x0,8x0,45мм

8,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 0,8Вт; 22В; SMD; DO219AB,SMF; одиночний діод; BZD27C
Діод: зенера; 0,8Вт; 22В; SMD; DO219AB,SMF; одиночний діод; BZD27C

4,50 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зенерівська напруга:
22В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 30МОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HV73; 2кВ
Резистор: thick film; 30МОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HV73; 2кВ

6,78 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Обплетення; ØДіамю обплетення: 14÷24мм; поліамід; UL94V-2
Обплетення; ØДіамю обплетення: 14÷24мм; поліамід; UL94V-2

175,49 грн

Діаметр обплетення:
14...24мм
Клас горючості:
UL94V-2
Матеріал:
поліамід
Робоча температура:
-55...125°C
Багатоотворове кабельне введення; світло-сірий; К-ть отв: 7
Багатоотворове кабельне введення; світло-сірий; К-ть отв: 7

220,48 грн

Кількість отворів:
7
Клас герметичності:
IP54
Колір корпусу:
світло-сірий
Робоча температура:
-40...100°C
Недоступний
Затискна обійма; L: 367мм; W: 8,9мм; чорний; поліамід; 710Н
Затискна обійма; L: 367мм; W: 8,9мм; чорний; поліамід; 710Н

16,35 грн

Діаметр петлі max:
100мм
Довжина:
367мм
Колір:
чорний
Матеріал обійми:
поліамід
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96МОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 1,96МОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,96 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
1,96МОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8