1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,31А; Idm: 1,44А; 2Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,31А; Idm: 1,44А; 2Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: ZVN4525GTA
87,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZVN4525GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±40В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 8,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 0,31А
Струм стоку в імпульсі: 1,44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В

3,61 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 118Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 118Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: metal film; 4,7кОм; THT; 1Вт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal film; 4,7кОм; THT; 1Вт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм

1,88 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Монтаж:
THT
Опір:
4,7кОм
Резистор: thin film; 3,57кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 3,57кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; 1,6x0,8x0,45мм

8,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 2нГн; 700мА; R: 0,1Ом; LQP; 180мм; ±0,05nH
Реактор: film; SMD; 01005; 2нГн; 700мА; R: 0,1Ом; LQP; 180мм; ±0,05nH

1,83 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,05nH
Індуктивність:
2нГн
Корпус - дюйм:
01005
Недоступний
Резистор: metal oxide; 27Ом; THT; 3Вт; ±5%; осьові; L: 15,5мм; Ø: 6мм
Резистор: metal oxide; 27Ом; THT; 3Вт; ±5%; осьові; L: 15,5мм; Ø: 6мм

5,20 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
6мм
Довжина:
15,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 33МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 33МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,78 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл