1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт
Немає в наявності
Код товару: DI014N25D1-AQ
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI014N25D1-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 73,5Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111

50,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT

53,22 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Недоступний
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм

3027,75 грн

Зовнішні розміри:
400x400x705мм
Модель:
з колесами
Тип контейнера:
для інструменту, ящик
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

21,79 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 1/2"; довга
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 1/2"; довга

448,56 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
78мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD