1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 19А; 46Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 19А; 46Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: IRFI4229PBF
171,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFI4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 19А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: HDC; затискання; 0,5÷0,5мм2; промислова
Роз’єм: HDC; затискання; 0,5÷0,5мм2; промислова

193,23 грн

Alias:
HDC MBUS8 F AWG20
Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
затискання
Переріз проводу:
0,5...0,5мм2
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,6В
Резистор: thick film; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

1,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11

126,08 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
15мм
Монтаж:
THT
Поверхня осі:
зі щілиною
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC

726,69 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

318,04 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс

522,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
103нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB

181,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

171,06 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
312нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс

337,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
65нКл
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А

494,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
super junction coolmos
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт

390,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class